Транзистор N-MOSFET GOFORD SEMICONDUCTOR G3404, 30V, 5.6A, SOT23 (G3404-GFS) — набір 30 шт.

Транзистор N-MOSFET GOFORD SEMICONDUCTOR G3404 — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення, виготовлений за технологією Trench. Компонент розрахований на напругу дрена-джерела 30 В та струм дрена 5,6 А.

• Тип транзистора: N-MOSFET з каналом збагачення
• Технологія виготовлення: Trench
• Максимальна напруга дрена-джерела: 30 В
• Струм дрена: 5,6 А
• Потужність розсіювання: 1,4 Вт
• Корпус: SOT23 (SMD монтаж)
• Заряд затвора: 16 нКл
• Напруга затвор-джерело: ±20 В
• Кількість у комплекті: 30 шт.

Технічні характеристики

Транзистор має максимальну напругу дрена-джерела 30 В та допустимий струм дрена 5,6 А. Потужність розсіювання становить 1,4 Вт, а заряд затвора — 16 нКл. Максимальна напруга затвор-джерело обмежена ±20 В, що визначає вимоги до керуючих сигналів.

Технологія Trench та параметри затвора

Транзистор виготовлений за технологією Trench, що впливає на його електричні характеристики. Заряд затвора становить 16 нКл, а максимальна напруга затвор-джерело обмежена ±20 В. Ці параметри визначають вимоги до керуючих сигналів у схемах.

Корпус SOT23 та монтаж

Компонент виконаний у корпусі SOT23, призначеному для поверхневого монтажу (SMD). Таке виконання є стандартним для сучасних електронних компонентів.