Транзистор P-MOSFET GOFORD SEMICONDUCTOR G300P06T, -60В, -40А, TO220 (30 шт.)

Транзистор P-MOSFET GOFORD SEMICONDUCTOR G300P06T — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення, виготовлений за технологією Trench. Комплект складається з 30 одиниць у корпусі TO220, призначених для монтажу в отвори (THT).

• Тип: P-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
• Технологія: Trench
• Напруга стік-витік: -60 В
• Струм стоку: -40 А
• Потужність розсіювання: 50 Вт
• Корпус: TO220, монтаж THT
• Заряд затвора: 49 нКл
• Кількість у комплекті: 30 шт.

Потужність та струм

Транзистор розрахований на максимальний струм стоку -40 А та напругу стік-витік -60 В. Потужність розсіювання становить 50 Вт, що дозволяє використовувати компонент у силових ланцюгах із помірним навантаженням.

Технологія Trench

Використання технології Trench забезпечує низький опір відкритого каналу та ефективне перемикання. Заряд затвора становить 49 нКл, що впливає на швидкодію та вимоги до драйвера затвора.

Електричні параметри

Допустима напруга затвор-витік дорівнює ±20 В. Транзистор є уніполярним із каналом збагачення, що визначає специфіку його керування та застосування в схемах із P-каналом.

Монтаж та корпус TO220

Компонент виконаний у корпусі TO220 з виводами для монтажу в отвори (THT). Такий тип корпусу забезпечує надійний контакт із друкованою платою та дозволяє ефективно відводити тепло через радіатор або металеву пластину. Корпус TO220 є стандартом для силових транзисторів, що полегшує заміну та інтеграцію в існуючі схеми.