Транзистор P-MOSFET GOFORD SEMICONDUCTOR G29, SOT23, -15В, -4,1А (набір 30 шт.)

Транзистор GOFORD SEMICONDUCTOR G29 — це уніполярний P-MOSFET з технологією Trench, призначений для монтажу на поверхню (SMD) у корпусі SOT23. Товар поставляється набором із 30 штук.

• Тип транзистора: P-MOSFET, уніполярний
• Корпус: SOT23, монтаж SMD
• Максимальна напруга дрена-джерела: -15 В
• Максимальний струм дрена: -4,1 А
• Потужність розсіювання: 1,05 Вт
• Заряд затвора: 7,8 нКл
• Комплектація: набір із 30 штук

Електричні параметри

Транзистор працює з напругою дрена-джерела до -15 В та витримує струм дрена до -4,1 А. Потужність розсіювання становить 1,05 Вт, що визначає тепловий режим роботи компонента. Напруга затвор-джерело обмежена ±12 В, а заряд затвора дорівнює 7,8 нКл.

Корпус та монтаж

Компонент виготовлений у стандартному корпусі SOT23, який забезпечує компактність вузла. Монтаж виконується методом SMD (поверхневий монтаж). Канал транзистора є збагачуваним (enhancement mode).