Транзистор N-MOSFET GOFORD SEMICONDUCTOR G10N10A, 100В, 10А, TO252 (набір 30 шт.)
2 650 ₴
- В наявності
- Код: TM018660
Транзистор N-MOSFET GOFORD SEMICONDUCTOR G10N10A, 100В, 10А, TO252 (набір 30 шт.)В наявності
2 650 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET GOFORD SEMICONDUCTOR G10N10A — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення, виготовлений за технологією Trench. Характеризується напругою дренаж-виток до 100 В та струмом дренажу до 10 А.
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Технологія: Trench
- Максимальна напруга дренаж-виток: 100 В
- Максимальний струм дренажу: 10 А
- Потужність розсіювання: 28 Вт
- Корпус: TO252 (SMD)
- Заряд затвора: 15,5 нКл
- Набір: 30 шт.
Потужність розсіювання
Максимальна потужність розсіювання становить 28 Вт.
Корпус та монтаж
Корпус TO252, монтаж SMD.
Параметри керування
Заряд затвора: 15,5 нКл. Максимальна напруга затвор-виток: ±20 В.
Комплект поставки
Комплект поставки: 30 шт.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 28 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 100 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 10 А |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 30 шт. |
| Корпус | TO252 |
| Виробник | GOFORD SEMICONDUCTOR |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 650 ₴