Транзистор P-MOSFET GOFORD SEMICONDUCTOR G09P02L, SOT23, -20В, -9А (30 шт.)

Транзистор GOFORD SEMICONDUCTOR G09P02L — це уніполярний P-MOSFET з технологією Trench, призначений для монтажу на поверхню (SMD) у корпусі SOT23. Комплект складається з 30 одиниць.

• Тип: P-MOSFET, уніполярний, технологія Trench
• Корпус: SOT23, монтаж SMD
• Напруга стік-виток: -20 В
• Струм стоку: -9 А
• Потужність розсіювання: 2,5 Вт
• Заряд затвора: 72 нКл
• Комплектація: 30 шт.

Технічні характеристики

Пристрій є P-канальним MOSFET з індукованим каналом (enhancement mode). Максимальна напруга між стоком та витоком становить -20 В, а максимальний струм стоку — -9 А. Потужність розсіювання дорівнює 2,5 Вт. Напруга на затворі обмежена ±12 В, а заряд затвора — 72 нКл.

Монтаж та корпус

Транзистор виготовлений у стандартному корпусі SOT23, що дозволяє використовувати його для поверхневого монтажу (SMD).