Транзистор P-MOSFET GOFORD SEMICONDUCTOR G080P06T, -60В, -195А, TO220 (набір 20 шт.)

Транзистор P-MOSFET GOFORD SEMICONDUCTOR G080P06T — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення, виготовлений за технологією Trench. Комплект із 20 штук призначений для радіоаматорів та інженерів, які потребують надійних компонентів для потужних схем керування.

• Тип транзистора: P-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
• Максимальний струм стоку: -195 А
• Розсіювана потужність: 294 Вт
• Напруга стік-витік: -60 В
• Корпус: TO220, монтаж THT
• Комплектація: набір із 20 штук

Висока потужність та струм

Транзистор розрахований на максимальний струм стоку -195 А та розсіювану потужність 294 Вт. Це дозволяє використовувати компонент у силових ланцюгах із високими навантаженнями, де потрібна стабільна робота під значним нагрівом.

Низький опір та швидкість перемикання

Завдяки технології Trench та заряду затвора 186 нКл, транзистор забезпечує ефективне перемикання. Низький заряд затвора спрощує керування та зменшує втрати енергії при частому перемиканні, що важливо для імпульсних джерел живлення.

Зручний монтаж та корпус

Компонент виконаний у стандартному корпусі TO220 з виводами для монтажу на плату (THT). Такий формат полегшує пайку та забезпечує добрий відвід тепла, особливо при використанні радіаторів.

Надійність та безпека експлуатації

Максимальна напруга стік-витік становить -60 В, що визначає робочий діапазон у силових ланцюгах. Дозволена напруга затвор-витік ±20 В гарантує стабільну роботу та захищає ізолятор затвора від пробою при керуванні.