Транзистор N-MOSFET GOFORD SEMICONDUCTOR G080N10T, 100V, 140A, TO220 (набір 20 шт.)

Транзистор N-MOSFET GOFORD SEMICONDUCTOR G080N10T — це силовий напівпровідниковий прилад у корпусі TO220, призначений для комутації в електронних схемах. Комплект складається з 20 одиниць, що забезпечує запас компонентів для серійного виробництва або ремонтних робіт.

• Струм дрена: 140 А
• Напруга дрена-витоку: 100 В
• Розсіювана потужність: 236 Вт
• Корпус: TO220 (THT монтаж)
• Технологія: Trench
• Комплектація: 20 шт.

Висока потужність та струм

Транзистор розрахований на максимальний струм дрена 140 А та розсіювану потужність 236 Вт. Це дозволяє використовувати його в силових ланцюгах із високими навантаженнями, де потрібна надійна комутація великих струмів без перегріву компонента.

Технологія Trench та низький опір

Використання технології Trench забезпечує ефективну роботу транзистора та зниження втрат енергії під час комутації. Така конструкція сприяє підвищенню ККД пристрою та зменшенню нагрівання приладу під час тривалої експлуатації.

Зручний монтаж та корпус

Компонент виконаний у стандартному корпусі TO220 з виводами для монтажу на друкованій платі (THT). Це спрощує процес пайки та інтеграції транзистора в існуючі схеми, а також дозволяє легко монтувати радіатор для додаткового відведення тепла.

Електричні параметри та заряд затвора

Номінальна напруга дрена-витоку становить 100 В, а напруга затвор-виток — ±20 В. Транзистор є уніполярним з каналом типу «збагачуваний» (enhancement mode). Заряд затвора (Qg) дорівнює 192 нКл, що впливає на швидкість перемикання та вимоги до драйвера затвора.