Транзистор N-MOSFET ONSEMI FQT4N20LTF, 200В, 0,68А, SOT223 (30 шт.)
2 160 ₴
- В наявності
- Код: TM035620
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FQT4N20LTF, 200В, 0,68А, SOT223 (30 шт.)В наявності
2 160 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FQT4N20LTF — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення, призначений для роботи в електронних схемах. Комплект складається з 30 одиниць у корпусі SOT223 для поверхневого монтажу (SMD).
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Максимальна напруга стік-витік: 200 В
- Струм стіка: 0,68 А
- Потужність розсіювання: 2,2 Вт
- Корпус: SOT223, монтаж SMD
- Комплектація: 30 шт.
Напруга та струм
Транзистор розрахований на максимальну напругу стік-витік 200 В та струм стіка 0,68 А. Максимальна напруга затвор-витік становить ±20 В.
Комплектація
Компонент виготовлений за технологією QFET® та має корпус SOT223 для поверхневого монтажу (SMD). Максимальна напруга затвор-витік становить ±20 В.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 2.2 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 200 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 0.68 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 1400 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 30 шт. |
| Корпус | SOT223 |
| Технологія | QFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 160 ₴