Транзистор N-MOSFET ONSEMI FQPF9N90CT, 900В, 2,8А, TO220FP, 5 шт.
2 090 ₴
- В наявності
- Код: TM035619
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FQPF9N90CT, 900В, 2,8А, TO220FP, 5 шт.В наявності
2 090 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Напівпровідниковий компонент ONSEMI FQPF9N90CT — це уніполярний N-MOSFET транзистор з каналом збагачення, призначений для роботи під напругою до 900 В. Товар поставляється комплектом із 5 штук у корпусі TO220FP для монтажу на плату.
- Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний
- Напруга стік-витік: 900 В
- Струм стоку: 2,8 А (імпульсний 32 А)
- Розсіювана потужність: 68 Вт
- Корпус: TO220FP, монтаж THT
- Комплектація: 5 штук
Електричні параметри
Транзистор розрахований на постійну напругу стік-витік 900 В та струм стоку 2,8 А. У імпульсному режимі допустимий струм зростає до 32 А. Максимальна розсіювана потужність становить 68 Вт, а опір у відкритому стані — 1,4 Ом.
Корпус та монтаж
Компонент виконаний у корпусі TO220FP. Тип монтажу THT (through-hole technology) передбачає встановлення в отвори друкованої плати. Напруга затвор-витік обмежена ±30 В, а заряд затвора становить 58 нКл.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 68 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 900 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 2.8 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 1400 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 5 шт. |
| Корпус | TO220FP |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 090 ₴