Транзистор P-MOSFET ONSEMI FQPF27P06, -60В, -12А, TO220FP (набір 10 шт.)
1 950 ₴
- В наявності
- Код: TM073778
Транзистор P-MOSFET ONSEMI FQPF27P06, -60В, -12А, TO220FP (набір 10 шт.)В наявності
1 950 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
P-канальний MOSFET-транзистор ONSEMI FQPF27P06 у корпусі TO220FP. Призначений для монтажу на плату (THT).
- Тип транзистора: P-MOSFET, збагачуваний канал
- Напруга стік-витік: -60 В
- Струм стіка: -12 А
- Потужність розсіювання: 47 Вт
- Корпус: TO220FP, монтаж THT
- Опір у відкритому стані: 70 мОм
- Набір: 10 штук
Електричні параметри
Транзистор має напругу стік-витік -60 В та струм стіка -12 А. Потужність розсіювання становить 47 Вт. Опір у відкритому стані дорівнює 70 мОм.
Технологія та монтаж
Використовується технологія QFET®. Монтаж виконується методом THT (скрізь отвори) у корпусі TO220FP. Напруга затвор-витік становить ±25 В, а заряд затвора — 43 нКл.
Комплектація
Товар постачається набором із 10 штук.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 47 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 25 В |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 70 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO220FP |
| Технологія | QFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 950 ₴