Транзистор N-MOSFET ONSEMI FQPF19N20C, 200В, 12.1А, 43Вт, TO220FP (набір 10 шт.)
1 860 ₴
- В наявності
- Код: TM073777
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FQPF19N20C, 200В, 12.1А, 43Вт, TO220FP (набір 10 шт.)В наявності
1 860 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FQPF19N20C — це уніполярний компонент з каналом збагачення. Товар постачається набором із 10 штук у корпусі TO220FP для монтажу в отвори (THT).
- Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний
- Максимальна напруга стік-витік: 200 В
- Максимальний струм стоку: 12.1 А
- Потужність розсіювання: 43 Вт
- Корпус: TO220FP, монтаж THT
- Комплектація: набір із 10 штук
Електричні параметри
Максимальна напруга стік-витік становить 200 В. Максимальний струм стоку дорівнює 12.1 А, а потужність розсіювання — 43 Вт.
Корпус та монтаж
Компонент виконаний у корпусі TO220FP. Монтаж здійснюється в отвори (THT). Використовується технологія QFET®.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 43 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 200 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 12.1 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 170 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO220FP |
| Технологія | QFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 860 ₴