Транзистор N-MOSFET ONSEMI FQP9N90C, 900В, 2,8А, TO220AB, комплект 5 шт.
2 020 ₴
- В наявності
- Код: TM073775
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FQP9N90C, 900В, 2,8А, TO220AB, комплект 5 шт.В наявності
2 020 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FQP9N90C — це напівпровідниковий прилад з каналом збагачення, призначений для роботи в електронних схемах. У комплекті поставляється 5 одиниць у корпусі TO220AB.
- Тип транзистора: N-MOSFET з каналом збагачення
- Максимальна напруга дрена-джерела: 900 В
- Струм дрена: 2,8 А
- Потужність розсіювання: 205 Вт
- Корпус: TO220AB, монтаж THT
- Комплектація: 5 шт.
Електричні параметри та напруга затвора
Транзистор розрахований на максимальну напругу дрена-джерела 900 В та струм дрена 2,8 А. Потужність розсіювання становить 205 Вт. Опір у стані провідності дорівнює 1,4 Ом, а заряд затвора — 58 нКл. Максимальна напруга затвора-джерела становить ±30 В.
Корпус, монтаж та технологія
Компонент виконаний у корпусі TO220AB. Монтаж здійснюється виводами в отвори (THT). Поляризація транзистора — уніполярна. Технологія виготовлення: QFET®.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 205 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 900 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 2.8 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 1400 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 5 шт. |
| Корпус | TO220AB |
| Технологія | QFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 020 ₴