Транзистор N-MOSFET ONSEMI FQP6N80C, 800В, 3.2А, TO220AB (набір 10 шт.)
2 570 ₴
- В наявності
- Код: TM018631
Набір із 10 транзисторів ONSEMI FQP6N80C типу N-MOSFET для використання в електронних пристроях. Компоненти в корпусі TO220AB забезпечують надійну роботу в ланцюгах із напругою до 800 В та струмом до 3,2 А.
- Напруга дрена-джерела до 800 В
- Струм дрена 3,2 А
- Потужність розсіювання 158 Вт
- Корпус TO220AB для монтажу THT
- Технологія QFET®
- Набір із 10 транзисторів
Висока напруга та струм
Транзистор працює з напругою дрена-джерела до 800 В, підходить для застосування в електронних схемах. Максимальний струм дрена становить 3,2 А, що забезпечує стабільну роботу під навантаженням. Ці параметри визначають область застосування компонента.
Ефективне відведення тепла
Потужність розсіювання 158 Вт. Корпус TO220AB забезпечує стандартне кріплення та відведення тепла. Монтаж THT.
Технологія QFET®
Використання технології QFET®. Опір в стані провідності становить 2,5 Ом. Зарядка затвора 30 нКл є параметром керування транзистором.
Комплектація
У комплекті постачається 10 транзисторів. Кожна одиниця має ідентичні характеристики, зазначені в специфікації.
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 158 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 800 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 3.2 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 2500 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO220AB |
| Технологія | QFET® |
- Ціна: 2 570 ₴