Транзистор P-MOSFET ONSEMI FQP47P06, -60В, -33,2А, TO220AB, комплект 5 шт.

Транзистор ONSEMI FQP47P06 — це уніполярний P-MOSFET з каналом збагачення, призначений для роботи з напругою до -60 В та струмом до -33,2 А. Компонент виконаний у корпусі TO220AB із технологією QFET® та пропонується у комплекті з 5 штук.

• Тип транзистора: P-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
• Максимальна напруга стік-виток: -60 В
• Максимальний струм стіка: -33,2 А
• Потужність розсіювання: 160 Вт
• Опір у відкритому стані: 26 мОм
• Корпус: TO220AB, монтаж THT
• Комплект: 5 штук

Електричні параметри

Транзистор має напругу стік-виток -60 В та максимальний струм стіка -33,2 А. Потужність розсіювання становить 160 Вт, а опір у відкритому стані — 26 мОм. Напруга затвор-виток допускає значення ±25 В.

Корпус та монтаж

Компонент виготовлений у стандартному корпусі TO220AB. Монтаж виконується методом виводів у отвори (THT), що є традиційним рішенням для багатьох плат. Технологія QFET® визначає структуру кристала транзистора.

Заряд та технологія QFET®

Упаковка містить 5 транзисторів ONSEMI FQP47P06.