Транзистор N-MOSFET ONSEMI FQP45N15V2, 150В, 31А, TO220AB, набір 10 шт.
2 670 ₴
- В наявності
- Код: TM018630
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FQP45N15V2, 150В, 31А, TO220AB, набір 10 шт.В наявності
2 670 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Набір із 10 транзисторів ONSEMI FQP45N15V2 типу N-MOSFET у корпусі TO220AB. Компоненти з напругою до 150 В та струмом до 31 А.
- Напруга дренаж-виток: 150 В
- Струм дренажу: 31 А
- Розсіювана потужність: 220 Вт
- Опір у відкритому стані: 40 мОм
- Корпус: TO220AB (THT монтаж)
- Набір: 10 штук
Потужність та надійність
Транзистори мають розсіювану потужність 220 Вт. Опір у відкритому стані становить 40 мОм.
Зручний монтаж
Компоненти виконані у стандартному корпусі TO220AB із технологією монтажу THT (скрізь отвори). Це забезпечує простоту встановлення на друковані плати.
Технічні характеристики
Транзистори є уніполярними з каналом збагачення. Максимальна напруга між затвором та витоком становить ±30 В, а заряд затвора — 94 нКл. Використовується технологія QFET®.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 220 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 150 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 31 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 40 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO220AB |
| Технологія | QFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 670 ₴