Транзистор P-MOSFET ONSEMI FQP27P06, -60В, -27А, TO220AB (набір 10 шт.)

Транзистор P-MOSFET ONSEMI FQP27P06 — це уніполярний компонент з каналом збагачення. Модель виконана в корпусі TO220AB із виводами для монтажу на плату (THT) та реалізує технологію QFET®.

• Тип транзистора: P-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
• Максимальна напруга стік-виток: -60 В
• Струм стоку: -27 А
• Корпус: TO220AB, монтаж THT
• Опір у відкритому стані: 70 мОм
• Набір: 10 шт.

Електричні параметри

Транзистор розрахований на максимальну напругу між стоком та витоком -60 В та постійний струм стоку -27 А. Опір у відкритому стані становить 70 мОм. Напруга на затворі може змінюватися в межах ±25 В, а сумарний заряд затвора дорівнює 43 нКл.

Корпус та монтаж

Компонент виготовлений у стандартному корпусі TO220AB. Виводи призначені для вивідного монтажу (THT). Компонент реалізує технологію QFET®.

Комплектація

Товар поставляється набором із 10 транзисторів.