Транзистор P-MOSFET ONSEMI FQP17P06, -60В, -12А, TO220AB, набір 10 шт.

Транзистор P-MOSFET ONSEMI FQP17P06 — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення. Товар поставляється комплектом із 10 штук у корпусі TO220AB для монтажу на плату (THT).

• Тип транзистора: P-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
• Максимальна напруга стік-витік: -60 В
• Максимальний струм стоку: -12 А
• Потужність розсіювання: 79 Вт
• Корпус: TO220AB, монтаж THT
• Комплектація: набір із 10 транзисторів

Напруга та струм

Транзистор працює з напругою стік-витік до -60 В та струмом стоку до -12 А. Потужність розсіювання становить 79 Вт. Опір у відкритому стані дорівнює 0,12 Ом.

Корпус та монтаж

Пристрій виготовлений за технологією QFET®. Корпус TO220AB та тип монтажу THT (скрізний монтаж) призначені для встановлення в отвори друкованих плат. Напруга затвор-витік обмежена ±25 В, а заряд затвора становить 27 нКл.