Транзистор N-MOSFET ONSEMI FQP11N40C, 400В, 6,6А, TO220AB, набір 20 шт.
3 600 ₴
- В наявності
- Код: TM018629
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FQP11N40C, 400В, 6,6А, TO220AB, набір 20 шт.В наявності
3 600 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Набір із 20 транзисторів ONSEMI FQP11N40C — це надійні N-канальні MOSFET-пристрої для потужних електронних схем. Компоненти виготовлені за технологією QFET®, що забезпечує стабільну роботу при навантаженні до 135 Вт.
- Напруга дрена-джерела: 400 В
- Струм дрена: 6,6 А
- Розсіювана потужність: 135 Вт
- Опір у відкритому стані: 530 мОм
- Корпус: TO220AB (THT монтаж)
- Набір: 20 шт.
Потужність та надійність
Транзистори витримують напругу дрена-джерела до 400 В та струм до 6,6 А. Максимальна розсіювана потужність становить 135 Вт. Опір у відкритому стані становить 530 мОм.
Зручний монтаж та корпус
Компоненти виконані в корпусі TO220AB. Монтаж здійснюється методом встановлення в отвори (THT).
Комплектація
У пакуванні міститься 20 транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 135 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 400 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 6.6 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 530 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | TO220AB |
| Технологія | QFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 3 600 ₴