Транзистор P-MOSFET ONSEMI FQD8P10TM, DPAK, -100В, -4,2А, 44Вт (набір 30 шт.)
2 250 ₴
- В наявності
- Код: TM073772
Транзистор P-MOSFET ONSEMI FQD8P10TM, DPAK, -100В, -4,2А, 44Вт (набір 30 шт.)В наявності
2 250 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
P-канальний MOSFET-транзистор ONSEMI FQD8P10TM у корпусі DPAK. Працює з напругою до -100 В та струмом до -4,2 А. Пакет містить 30 одиниць компонентів.
- Тип: P-MOSFET, уніполярний, збагачуваний канал
- Напруга стік-витік: -100 В
- Струм стіка: -4,2 А
- Розсіювана потужність: 44 Вт
- Корпус: DPAK (SMD монтаж)
- Комплектація: 30 шт. в упаковці
Електричні параметри
Транзистор працює з напругою стік-витік до -100 В та витримує постійний струм стіка -4,2 А. Максимальна розсіювана потужність становить 44 Вт. Опір у відкритому стані дорівнює 530 мОм, а заряд затвора — 15 нКл.
Корпус та монтаж
Компонент виконаний у поверхневому корпусі DPAK для SMD-монтажу. Використовується технологія QFET®. Напруга затвор-витік обмежена ±30 В.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 44 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 530 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 30 шт. |
| Корпус | DPAK |
| Технологія | QFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 250 ₴