Транзистор P-MOSFET ONSEMI FQD7P20TM, DPAK, -200В, -3,6А (комплект 20 шт.)
3 100 ₴
- В наявності
- Код: TM018628
Транзистор P-MOSFET ONSEMI FQD7P20TM, DPAK, -200В, -3,6А (комплект 20 шт.)В наявності
3 100 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
P-канальний MOSFET-транзистор ONSEMI FQD7P20TM у корпусі DPAK з потужністю розсіювання 55 Вт. Комплект із 20 одиниць забезпечує запас компонентів для серійного виробництва або ремонту електронних пристроїв.
- Напруга стік-витік: -200 В
- Струм стоку: -3,6 А
- Потужність розсіювання: 55 Вт
- Корпус: DPAK (SMD монтаж)
- Опір у відкритому стані: 690 мОм
- Комплект: 20 шт.
Електричні параметри
Транзистор працює з напругою стік-витік до -200 В та струмом стоку -3,6 А. Опір у відкритому стані становить 690 мОм. Заряд затвора 25 нКл.
Корпус та монтаж
Компонент виконаний у поверхневому корпусі DPAK (монтаж SMD). Використовується технологія QFET®.
Комплектація
У комплекті постачається 20 транзисторів. Транзистор є уніполярним із каналом збагачення. Напруга затвор-витік становить ±30 В.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 55 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 690 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | DPAK |
| Технологія | QFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 3 100 ₴