Транзистор N-MOSFET ONSEMI FQD7N20LTM, 200 В, 3,48 А, DPAK (набір 20 шт.)
2 270 ₴
- В наявності
- Код: TM073771
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FQD7N20LTM, 200 В, 3,48 А, DPAK (набір 20 шт.)В наявності
2 270 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FQD7N20LTM — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення, призначений для роботи в електронних схемах. Модель виконана в корпусі DPAK для поверхневого монтажу (SMD) та поставляється набором із 20 штук.
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Максимальна напруга дрена-джерела: 200 В
- Струм дрена: 3,48 А (постійний), 22 А (імпульсний)
- Розсіювана потужність: 45 Вт
- Корпус: DPAK, монтаж SMD
- Кількість у наборі: 20 шт.
Електричні параметри
Транзистор розрахований на максимальну напругу дрена-джерела 200 В та постійний струм дрена 3,48 А. У імпульсному режимі допустимий струм дрена сягає 22 А, а максимальна розсіювана потужність становить 45 Вт. Опір у стані провідності дорівнює 780 мОм.
Корпус та монтаж
Компонент виготовлений у корпусі DPAK для поверхневого монтажу (SMD).
Комплектація
Товар постачається як комплект із 20 транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 45 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 200 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 3.48 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 780 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | DPAK |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 270 ₴