Транзистор N-MOSFET ONSEMI FQD30N06TM, 60В, 14.3А, DPAK (набір 20 шт.)

Транзистор N-MOSFET ONSEMI FQD30N06TM — це уніполярний польовий транзистор з ізольованим затвором у корпусі DPAK. Комплект складається з 20 одиниць, призначених для SMD-монтажу. Пристрій розрахований на напругу 60 В та струм 14,3 А.

• Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний
• Максимальна напруга стік-виток: 60 В
• Струм стоку: 14,3 А (імпульсний до 90,8 А)
• Потужність розсіювання: 44 Вт
• Корпус: DPAK, монтаж SMD
• Комплектація: набір із 20 транзисторів

Електричні параметри

Транзистор має максимальну напругу між стоком та витоком 60 В. Номінальний струм стоку становить 14,3 А, а імпульсний струм може досягати 90,8 А. Потужність розсіювання дорівнює 44 Вт, що визначає тепловий режим роботи компонента. Опір у відкритому стані становить 45 мОм.

Корпус та монтаж

Компонент виготовлений у корпусі DPAK для поверхневого монтажу (SMD). Тип каналу — збагачуваний. Максимальна напруга на затворі становить ±25 В. Заряд затвора дорівнює 25 нКл.