Транзистор N-MOSFET ONSEMI FQD1N80TM, 800 В, 0,63 А, DPAK (20 шт.)

Транзистор N-MOSFET ONSEMI FQD1N80TM — це уніполярний компонент із каналом збагачення та максимальною напругою стік-витік 800 В.## Комплектація

• Тип транзистора: N-MOSFET з каналом збагачення
• Максимальна напруга стік-витік: 800 В
• Максимальний струм стоку: 0,63 А
• Потужність розсіювання: 45 Вт
• Корпус: DPAK, монтаж SMD
• Кількість у комплекті: 20 шт.

Електричні параметри

Максимальна напруга стік-витік становить 800 В. Максимальний струм стоку обмежений значенням 0,63 А, а потужність розсіювання — 45 Вт. Ці характеристики визначають робочий діапазон компонента.

Корпус та монтаж

Компонент виготовлений у корпусі DPAK. Технологія виготовлення QFET® визначає структуру транзистора. Монтаж здійснюється методом SMD (поверхневий монтаж).

Технологія та монтаж

У пакуванні міститься 20 транзисторів ONSEMI FQD1N80TM. Символ виробника: FQD1N80TM.