Транзистор N-MOSFET ONSEMI FQD19N10LTM, 100В, 9.8А, DPAK (набір 20 шт.)
2 860 ₴
- В наявності
- Код: TM018627
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FQD19N10LTM, 100В, 9.8А, DPAK (набір 20 шт.)В наявності
2 860 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FQD19N10LTM — це уніполярний компонент із каналом збагачення. Модель розрахована на напругу 100 В та струм 9,8 А.
- Напруга дрена-джерела: 100 В
- Струм дрена: 9,8 А
- Розсіювана потужність: 50 Вт
- Корпус: DPAK (SMD)
- Опір у стані провідності: 0,11 Ом
- Заряд затвора: 18 нКл
- Набір: 20 шт.
Потужність та струм
Транзистор витримує напругу дрена-джерела 100 В та постійний струм дрена 9,8 А.
Тепловий режим
Максимальна розсіювана потужність становить 50 Вт.
Корпус та монтаж
Компонент виконаний у корпусі DPAK із технологією монтажу SMD.
Електричні параметри
Опір у стані провідності дорівнює 0,11 Ом, а заряд затвора — 18 нКл.
Комплектація
Товар поставляється набором із 20 штук.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 50 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 100 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 9.8 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 110 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | DPAK |
| Технологія | QFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 860 ₴