Транзистор N-MOSFET ONSEMI FQD16N25CTM, 250В, 10.1А, DPAK (набір 20 шт.)

Транзистор N-MOSFET ONSEMI FQD16N25CTM — це уніполярний компонент із каналом збагачення, що має максимальну розсіювану потужність 160 Вт. Модель у корпусі DPAK забезпечує зручний монтаж на поверхню (SMD) та стабільну роботу при напрузі 250 В.

• Струм стоку 10,1 А для силових навантажень
• Розсіювання потужності до 160 Вт
• Напруга стік-виток 250 В
• Опір у відкритому стані 0,27 Ом
• Корпус DPAK для SMD монтажу
• Набір із 20 транзисторів

Потужність та струм

Транзистор розрахований на постійний струм стоку 10,1 А та максимальну розсіювану потужність 160 Вт. Це дозволяє використовувати компонент у силових ланцюгах, де важлива ефективність перемикання та мінімальні втрати енергії.

Електричні параметри

Максимальна напруга між стоком та витоком становить 250 В, а напруга на затворі — ±30 В. Опір у відкритому стані дорівнює 0,27 Ом, що сприяє зниженню нагрівання під час роботи. Заряд затвора 53,5 нКл впливає на швидкість перемикання та вимоги до драйвера.

Технологія та монтаж

Компонент виготовлений за технологією QFET®, що оптимізує характеристики для силових застосувань. Корпус DPAK та тип монтажу SMD забезпечують компактне розміщення на друкованій платі та надійний контакт.

Транзистор ONSEMI FQD16N25CTM підходить для інженерів та радіоаматорів, які потребують надійних силових ключів для ремонтних робіт або прототипування пристроїв. Набір із 20 штук зручний для серійного виробництва або створення запасу компонентів.