Транзистор N-MOSFET ONSEMI FQD13N10LTM, 100В, 6,3А, DPAK (набір 30 шт.)
2 410 ₴
- В наявності
- Код: TM073768
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FQD13N10LTM, 100В, 6,3А, DPAK (набір 30 шт.)В наявності
2 410 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FQD13N10LTM — це уніполярний напівпровідниковий прилад у корпусі DPAK для монтажу на поверхню (SMD). Комплект складається з 30 одиниць.
- Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний
- Максимальна напруга стік-витік: 100 В
- Струм стіка: 6,3 А
- Потужність розсіювання: 40 Вт
- Корпус: DPAK, монтаж SMD
- Кількість у комплекті: 30 шт.
Електричні параметри
Транзистор розрахований на максимальну напругу стік-витік 100 В та постійний струм стіка 6,3 А. Потужність розсіювання становить 40 Вт. Опір у відкритому стані дорівнює 0,2 Ом.
Технологія та монтаж
Прилад виготовлений за технологією QFET®. Корпус DPAK призначений для поверхневого монтажу (SMD). Напруга затвор-витік обмежена ±20 В. Заряд затвора становить 12 нКл. Канал збагачуваний.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 40 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 100 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 6.3 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 200 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 30 шт. |
| Корпус | DPAK |
| Технологія | QFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 410 ₴