Транзистор N-MOSFET ONSEMI FQD12N20LTM, 200В, 5.7А, DPAK, комплект 20 шт.
2 440 ₴
- В наявності
- Код: TM073767
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FQD12N20LTM, 200В, 5.7А, DPAK, комплект 20 шт.В наявності
2 440 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FQD12N20LTM — це уніполярний напівпровідниковий прилад у корпусі DPAK для монтажу на поверхню (SMD). Комплект складається з 20 одиниць.
- Тип транзистора: N-MOSFET
- Максимальна напруга стік-витік: 200 В
- Максимальний струм стоку: 5.7 А
- Потужність розсіювання: 55 Вт
- Корпус: DPAK (монтаж SMD)
- Кількість у комплекті: 20 шт.
Електричні параметри
Максимальна напруга стік-витік становить 200 В. Максимальний струм стоку дорівнює 5.7 А, а потужність розсіювання — 55 Вт.
Корпус та технологія
Компонент виготовлений за технологією QFET® і має корпус DPAK.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 55 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 200 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 5.7 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 320 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | DPAK |
| Технологія | QFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 440 ₴