Транзистор P-MOSFET ONSEMI FQD11P06TM, DPAK, -60В, -5,95А (комплект 20 шт.)

Транзистор P-MOSFET ONSEMI FQD11P06TM — це уніполярний компонент у корпусі DPAK для монтажу SMD. Комплект складається з 20 штук, що забезпечує запас для серійного виробництва або ремонту. Прилад працює з напругою до -60 В та струмом до -5,95 А, розсіюючи потужність 38 Вт.

• Тип транзистора: P-MOSFET, уніполярний
• Корпус: DPAK, монтаж SMD
• Напруга витоку-джерела: -60 В
• Струм витоку: -5,95 А
• Потужність розсіювання: 38 Вт
• Опір у провідному стані: 0,185 Ом
• Заряд затвора: 17 нКл
• Кількість у комплекті: 20 шт.

Технічні параметри та корпус

Компонент виготовлений за технологією QFET®, що впливає на його електричні характеристики. Корпус DPAK призначений для поверхневого монтажу (SMD), що дозволяє економити місце на платі. Максимальна напруга між витоком та джерелом становить -60 В, а максимальний струм витоку — -5,95 А. Потужність розсіювання дорівнює 38 Вт, що визначає тепловий режим роботи пристрою.

Електричні характеристики та опір

Транзистор є уніполярним з каналом збагачення типу P-MOSFET. Опір у провідному стані становить 0,185 Ом, що мінімізує втрати енергії при відкритому каналі. Максимальна напруга затвор-джерело обмежена значенням ±30 В, що важливо враховувати при виборі драйвера затвора. Полярність транзистора — уніполярна, що визначає специфіку його застосування в схемах керування. Тип каналу — збагачуваний, що забезпечує стабільну роботу в режимі відкритого стану. Заряд затвора дорівнює 17 нКл, що впливає на швидкість перемикання та вимоги до керуючого сигналу.