Транзистор N-MOSFET ONSEMI FQB5N90TM, 900В, 3,42А, D2PAK (набір 10 шт.)

Транзистор N-MOSFET ONSEMI FQB5N90TM — це напівпровідниковий прилад з каналом збагачення та напругою дрена-джерела 900 В. Комплект складається з 10 одиниць у корпусі D2PAK.

• Напруга дрена-джерела: 900 В
• Струм дрена: 3,42 А
• Потужність розсіювання: 158 Вт
• Опір у стані провідності: 2,3 Ом
• Корпус: D2PAK, монтаж SMD
• Комплектація: 10 шт.

Напруга дрена-джерела

Транзистор має напругу дрена-джерела 900 В. Це ключовий параметр, що визначає максимальну робочу напругу між виводами дрена та джерела.

Потужність та монтаж

Максимальна потужність розсіювання становить 158 Вт. Транзистор виконаний у корпусі D2PAK із монтажем SMD.

Струм та опір

Струм дрена становить 3,42 А, а опір у стані провідності — 2,3 Ом. Напруга затвор-джерело становить ±30 В.

Комплектація та технологія

Комплектація «10 шт.» включає десять транзисторів. Використано технологію QFET®, транзистор є уніполярним.