Транзистор P-MOSFET ONSEMI FQB47P06TM-AM002, 160 Вт, D2PAK (5 шт.)
2 100 ₴
- В наявності
- Код: TM073766
Транзистор P-MOSFET ONSEMI FQB47P06TM-AM002, 160 Вт, D2PAK (5 шт.)В наявності
2 100 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор P-MOSFET від бренду ONSEMI, модель FQB47P06TM-AM002, має максимальну потужність розсіювання 160 Вт. Комплект складається з 5 одиниць у корпусі D2PAK для поверхневого монтажу.
- Максимальна потужність розсіювання 160 Вт
- Корпус D2PAK
- Комплект із 5 транзисторів
- Технологія QFET®
- Поверхневий монтаж (SMD)
Потужність розсіювання
Транзистор має максимальну потужність розсіювання 160 Вт. Корпус D2PAK. Технологія QFET®.
Комплектація
У комплекті постачається 5 транзисторів. Монтаж виконується за технологією SMD (поверхневий монтаж).
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 160 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 25 В |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 26 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 5 шт. |
| Корпус | D2PAK |
| Технологія | QFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 100 ₴