Транзистор P-MOSFET ONSEMI FQB22P10TM, 125 Вт, D2PAK, набір 10 шт.
2 460 ₴
- В наявності
- Код: TM073765
Транзистор P-MOSFET ONSEMI FQB22P10TM, 125 Вт, D2PAK, набір 10 шт.В наявності
2 460 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор P-MOSFET ONSEMI FQB22P10TM — це уніполярний польовий транзистор у корпусі D2PAK для монтажу на поверхню (SMD). Товар постачається набором із 10 штук.
- Тип транзистора: P-MOSFET
- Максимальна потужність розсіювання: 125 Вт
- Корпус: D2PAK
- Тип монтажу: SMD
- Технологія: QFET®
- Кількість у комплекті: 10 шт.
Максимальна потужність розсіювання становить 125 Вт, що визначає тепловий режим роботи компонента. Пристрій виготовлений за технологією QFET®, яка є специфічною особливістю даної моделі.
Корпус та монтаж
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 125 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 125 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | D2PAK |
| Технологія | QFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 460 ₴