Транзистор N-MOSFET ONSEMI FQB19N20LTM, 200В, 13,3А, D2PAK (10 шт.)
2 250 ₴
- В наявності
- Код: TM073764
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FQB19N20LTM, 200В, 13,3А, D2PAK (10 шт.)В наявності
2 250 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FQB19N20LTM — це уніполярний напівпровідниковий прилад з каналом збагачення, призначений для роботи в електронних схемах. Комплект складається з 10 одиниць у корпусі D2PAK для поверхневого монтажу (SMD).
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Напруга стік-витік: 200 В
- Струм стіка: 13,3 А (імпульсний до 84 А)
- Потужність розсіювання: 140 Вт
- Корпус: D2PAK, монтаж SMD
- Комплектація: 10 шт.
Напруга та струм
Прилад працює при напрузі стік-витік до 200 В. Постійний струм стіка становить 13,3 А, а в імпульсному режимі він може досягати 84 А. Напруга затвор-витік обмежена значенням ±20 В.
Потужність та опір
Максимальна розсіювана потужність транзистора дорівнює 140 Вт. Опір у відкритому стані (Rds(on)) становить 0,15 Ом.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 140 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 200 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 13.3 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 150 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | D2PAK |
| Технологія | QFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 250 ₴