Транзистор N-MOSFET ONSEMI FQA70N10, 100В, 49.5А, TO3PN (набір 10 шт.)

Транзистор N-MOSFET ONSEMI FQA70N10 — це силовий напівпровідниковий прилад у корпусі TO3PN, призначений для комутації в електронних схемах. Комплект складається з 10 одиниць, що забезпечує зручність для серійного виробництва або ремонту обладнання.

• Тип транзистора: N-MOSFET з каналом, що збагачується
• Максимальна напруга дрена-джерела: 100 В
• Максимальний струм дрена: 49,5 А
• Потужність розсіювання: 214 Вт
• Опір у відкритому стані: 23 мОм
• Корпус: TO3PN, монтаж THT
• Комплектація: набір із 10 транзисторів

Висока потужність розсіювання

Транзистор здатний розсіювати потужність до 214 Вт, що дозволяє використовувати його в силових ланцюгах із високими навантаженнями. Така характеристика важлива для стабілізаторів живлення та інверторів, де необхідна надійна робота під навантаженням без перегріву.

Ефективне керування струмом

Максимальний струм дрена становить 49,5 А, а опір у відкритому стані (Rds(on)) дорівнює 23 мОм. Низький опір зменшує втрати енергії та нагрівання компонента, що підвищує загальний ККД пристрою.

Надійна ізоляція та керування

Максимальна напруга дрена-джерела становить 100 В, що робить транзистор придатним для схем із середньою напругою живлення. Напруга керування затвором ±25 В забезпечує стабільне відкривання та закривання каналу.

Зручний монтаж та технологія

Компонент виготовлений за технологією QFET® і має тип монтажу THT (скрізний монтаж), що спрощує пайку на друковані плати. Корпус TO3PN. Заряд затвора становить 11 нКл, що впливає на швидкість перемикання транзистора в динамічних режимах роботи.