Транзистор N-MOSFET ONSEMI FQA40N25, 250В, 25А, TO3PN (набір 5 шт.)
2 070 ₴
- В наявності
- Код: TM073763
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FQA40N25, 250В, 25А, TO3PN (набір 5 шт.)В наявності
2 070 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FQA40N25 — це уніполярний напівпровідниковий прилад з каналом збагачення. Модель має напругу дрена-джерела 250 В та постійний струм дрена 25 А.
- Тип транзистора: N-MOSFET з каналом збагачення
- Максимальна напруга дрена-джерела: 250 В
- Постійний струм дрена: 25 А, імпульсний: 160 А
- Розсіювана потужність: 280 Вт
- Корпус: TO3PN, монтаж THT
- У комплекті: 5 шт.
Електричні параметри
Транзистор має номінальний струм дрена 25 А та імпульсний струм до 160 А. Максимальна розсіювана потужність становить 280 Вт, а опір у стані провідності — 70 мОм. Напруга між затвором та витоком обмежена ±30 В, а заряд затвора дорівнює 110 нКл.
Корпус та монтаж
Компонент виконаний у корпусі TO3PN. Монтаж здійснюється методом виводів у отвори (THT).
Комплектація
Товар постачається набором із 5 транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 280 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 250 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 25 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 70 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 5 шт. |
| Корпус | TO3PN |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 070 ₴