Транзистор N-MOSFET ONSEMI FQA24N60, 600В, 14,9А, TO3PN (5 шт.)
2 740 ₴
- В наявності
- Код: TM018623
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FQA24N60, 600В, 14,9А, TO3PN (5 шт.)В наявності
2 740 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FQA24N60 — це уніполярний напівпровідниковий прилад із каналом збагачення. Комплект складається з 5 одиниць у корпусі TO3PN, що забезпечує зручність для серійного монтажу та заміни компонентів.
- Тип транзистора: N-MOSFET з каналом збагачення
- Максимальна напруга дрена-джерела: 600 В
- Струм дрена: 14,9 А
- Потужність розсіювання: 310 Вт
- Корпус: TO3PN, монтаж THT
- Кількість у комплекті: 5 шт.
Електричні параметри
Транзистор розрахований на максимальну напругу дрена-джерела 600 В та струм дрена 14,9 А. Напруга на затворі становить ±30 В, а заряд затвора — 145 нКл.
Потужність та технологія
Максимальна потужність розсіювання становить 310 Вт. Компонент виготовлений за технологією QFET® у корпусі TO3PN.
Монтаж та комплектація
Компонент призначений для вивідного монтажу (THT). У комплекті постачається 5 транзисторів. Опір у стані провідності становить 0,24 Ом.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 310 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 600 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 14.9 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 240 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 5 шт. |
| Корпус | TO3PN |
| Технологія | QFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 740 ₴