Транзистор N-MOSFET ONSEMI FQA13N80-F109, 800В, 8А, TO3PN (набір 5 шт.)

Набір із 5 потужних N-канальних MOSFET-транзисторів ONSEMI FQA13N80-F109 у корпусі TO3PN. Компоненти розраховані на високу напругу 800 В та струм стоку 8 А, що робить їх придатними для силових електронних схем.

• Напруга стік-витік: 800 В
• Струм стоку: 8 А
• Імпульсний струм: 50,4 А
• Розсіювана потужність: 300 Вт
• Корпус: TO3PN
• Тип монтажу: THT
• Кількість у наборі: 5 шт.

Висока напруга та струм

Транзистори витримують напругу стік-витік до 800 В та постійний струм стоку 8 А. Це дозволяє використовувати їх у високовольтних інверторах та джерелах живлення. Імпульсний струм може сягати 50,4 А, що забезпечує надійність при короткочасних перевантаженнях.

Потужність та тепловіддача

Максимальна розсіювана потужність становить 300 Вт. Такий показник дозволяє компонентам ефективно працювати в умовах значного навантаження. Корпус TO3PN сприяє кращому відведенню тепла від кристала.

Електричні параметри та керування

Транзистор є уніполярним із каналом збагачення, що забезпечує стандартну логіку керування. Напруга затвор-витік становить ±30 В, а заряд затвора — 88 нКл, що впливає на швидкість перемикання. Опір у відкритому стані дорівнює 0,75 Ом, що визначає втрати потужності при роботі. Ці параметри важливі для розрахунку драйвера затвора та оцінки ККД схеми.