Транзистор IGBT модуль Infineon FP06R12W1T4B3BOMA1, 6A, 1200V, EasyPIM 1B

IGBT модуль Infineon FP06R12W1T4B3BOMA1 — це напівпровідниковий компонент у корпусі AG-EASY1B-1 з номінальним струмом колектора 6 А та напругою 1200 В. Пристрій інтегрує трифазний діодний міст та трифазний IGBT-міст, що забезпечує компактне рішення для силових електронних схем.

• Номінальний струм колектора 6 А
• Максимальна зворотна напруга 1200 В
• Потужність розсіювання 94 Вт
• Корпус AG-EASY1B-1 (EasyPIM™ 1B)
• Інтегрований NTC термістор
• Монтаж Press-in PCB

Висока потужність розсіювання

Модуль здатний розсіювати потужність до 94 Вт, що дозволяє ефективно відводити тепло під час роботи. Це важливо для стабільної роботи силових каскадів у промислових та побутових пристроях, де тепловий режим є критичним параметром.

Інтегрована топологія

Конструкція поєднує трифазний діодний міст, трифазний IGBT-міст та NTC термістор. Така інтеграція спрощує розробку драйверів двигунів та інверторів, зменшуючи кількість зовнішніх компонентів на платі.

Зручний монтаж та керування

Модуль призначений для механічного кріплення (прикручування) та електричного монтажу за технологією Press-in PCB. Напруга керування затвор-емітер становить ±20 В, а імпульсний струм колектора може досягати 12 А, що визначає вимоги до драйверів та дозволяє працювати з піковими навантаженнями.

Структура напівпровідника

Внутрішня структура модуля поєднує діод та транзистор, що реалізує функціональність IGBT. Така комбінація дозволяє ефективно керувати потужністю у силових ланцюгах, забезпечуючи необхідну топологію для трифазних систем.