Транзистор IGBT ONSEMI FGY60T120SQDN, 1200 В, 60 А, TO247-3 (комплект 2 шт.)
1 920 ₴
- В наявності
- Код: TM073727
Транзистор IGBT ONSEMI FGY60T120SQDN, 1200 В, 60 А, TO247-3 (комплект 2 шт.)В наявності
1 920 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор IGBT ONSEMI FGY60T120SQDN — це силовий напівпровідниковий прилад у корпусі TO247-3, призначений для роботи з високими напругами та струмами. Комплект складається з двох одиниць.
- Тип транзистора: IGBT
- Напруга колектор-емітер: 1,2 кВ
- Струм колектора: 60 А
- Розсіювана потужність: 259 Вт
- Корпус: TO247-3
- Монтаж: THT (скрізний)
- Кількість у комплекті: 2 шт.
Висока напруга та струм
Транзистор розрахований на напругу колектор-емітер 1,2 кВ та постійний струм колектора 60 А. Імпульсний струм може досягати 240 А.
Теплові характеристики
Максимальна розсіювана потужність становить 259 Вт. Корпус TO247-3 сприяє ефективному тепловідведенню при правильному монтажі.
Параметри керування
Заряд затвора дорівнює 311 нКл. Допустима напруга затвор-емітер становить ±25 В.
Монтаж та комплектація
Компонент має тип монтажу THT (скрізний монтаж), що передбачає встановлення в отвори друкованої плати. У комплекті постачається 2 транзистори.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 259 Вт |
| Максимально допустимий струм колектора | 240 А |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 2 шт. |
| Корпус | TO247-3 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 920 ₴