Транзистор IGBT ONSEMI FGH50T65SQD-F155, 650В, 50А, TO247-3 (5 шт.)

IGBT-транзистор ONSEMI FGH50T65SQD-F155 у корпусі TO247-3 для монтажу на плату. Комплект складається з 5 одиниць із номінальною напругою 650 В та струмом колектора 50 А.

• Тип транзистора: IGBT з вбудованим антипаралельним діодом
• Напруга колектор-емітер: 650 В
• Струм колектора: 50 А (імпульсний до 200 А)
• Розсіювана потужність: 134 Вт
• Корпус: TO247-3, монтаж THT
• Кількість у комплекті: 5 шт.

Напруга та струм

Транзистор розрахований на напругу колектор-емітер 650 В та постійний струм колектора 50 А. Імпульсний струм може досягати 200 А, що дозволяє витримувати короткочасні пікові навантаження. Максимальна розсіювана потужність становить 134 Вт, а напруга затвор-емітер обмежена ±20 В.

Корпус та монтаж

Компонент виконаний у стандартному корпусі TO247-3 з виводами для монтажу на плату (THT). Компонент має вбудований антипаралельний діод. Загальний заряд затвора становить 99 нКл.

Комплектація

У пакуванні постачається 5 транзисторів ONSEMI FGH50T65SQD-F155.