Транзистор IGBT ONSEMI FGH40T120SMD-F155, 1,2 кВ, 40 А, TO247-3 (2 шт.)

IGBT-транзистор ONSEMI FGH40T120SMD-F155 у корпусі TO247-3 для монтажу на плату. Комплект складається з 2 одиниць із вбудованим антипаралельним діодом.

• Тип транзистора: IGBT
• Напруга колектор-емітер: 1,2 кВ
• Струм колектора: 40 А (160 А в імпульсі)
• Потужність розсіювання: 277 Вт
• Корпус: TO247-3, монтаж THT
• Вбудований антипаралельний діод
• Кількість у комплекті: 2 шт.

Потужність та струм

Транзистор розрахований на напругу колектор-емітер 1,2 кВ та постійний струм колектора 40 А. У імпульсному режимі струм може досягати 160 А. Потужність розсіювання становить 277 Вт, що вимагає ефективного відведення тепла.

Керування та діод

Прилад має вбудований антипаралельний діод, що спрощує схемотехніку. Напруга затвор-емітер обмежена ±25 В, а заряд затвора становить 0,37 мкКл. Монтаж виконується виводами в отвори (THT).

Монтаж та корпус

Транзистор виконується у корпусі TO247-3 з монтажем виводами в отвори (THT). У комплекті постачається 2 одиниці.