Транзистор IGBT ONSEMI FGA40T65SHD, 650В, 40А, TO3P (набір 10 шт.)

Транзистор IGBT від виробника ONSEMI, модель FGA40T65SHD, призначений для потужних електронних схем. Комплект складається з 10 одиниць у корпусі TO3P з виводами для монтажу на плату (THT).

• Напруга колектор-емітер: 650 В
• Струм колектора: 40 А
• Імпульсний струм: 120 А
• Розсіювана потужність: 134 Вт
• Корпус: TO3P, монтаж THT
• Інтегрований антипаралельний діод
• Набір: 10 шт.

Висока напруга та струм

Транзистор розрахований на напругу колектор-емітер 650 В та постійний струм колектора 40 А. Це дозволяє використовувати компонент у високовольтних інверторах та джерелах живлення, де потрібна стабільна робота під значним навантаженням.

Імпульсна потужність

Прилад витримує імпульсний струм колектора до 120 А, що забезпечує надійність при різких пікових навантаженнях. Максимальна розсіювана потужність становить 134 Вт, що вимагає ефективного відведення тепла від корпусу TO3P.

Вбудований діод

Компонент має інтегрований антипаралельний діод, що спрощує конструкцію силових ключів та зменшує кількість зовнішніх елементів на платі. Це корисно для схем з реактивним навантаженням, де потрібне захист від зворотного струму.

Зручний монтаж

Корпус TO3P з технологією монтажу THT (through-hole technology) забезпечує міцне кріплення до друкованої плати. Таке рішення підходить для промислового обладнання, де важлива механічна стійкість з'єднань.

Комплектація

У комплекті поставляється 10 транзисторів IGBT ONSEMI FGA40T65SHD. Це зручно для серійного виробництва або ремонту обладнання, що потребує заміни кількох компонентів одночасно.