Транзистор IGBT ONSEMI FGA40N65SMD, 650 В, 40 А, TO3P (набір 5 шт.)
2 230 ₴
- В наявності
- Код: TM073722
Транзистор IGBT ONSEMI FGA40N65SMD, 650 В, 40 А, TO3P (набір 5 шт.)В наявності
2 230 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
IGBT-транзистор ONSEMI FGA40N65SMD у корпусі TO3P. Комплект складається з 5 елементів із номінальною напругою 650 В та струмом колектора 40 А.
- Тип транзистора: IGBT
- Напруга колектор-емітер: 650 В
- Струм колектора: 40 А (120 А в імпульсі)
- Потужність розсіювання: 174 Вт
- Корпус: TO3P, монтаж THT
- Кількість у комплекті: 5 шт.
Технічні параметри
Транзистор розрахований на напругу колектор-емітер 650 В та постійний струм колектора 40 А. У імпульсному режимі допустимий струм зростає до 120 А. Потужність розсіювання становить 174 Вт, що визначає теплові режими роботи пристрою.
Вбудований діод
Транзистор має вбудований антипаралельний діод. Корпус TO3P, монтаж THT (вивідний).
Монтаж
У пакеті постачається 5 транзисторів IGBT.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 174 Вт |
| Максимально допустима напруга колектор-емітер | 650 В |
| Максимально допустимий струм колектора | 120 А |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 5 шт. |
| Корпус | TO3P |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 230 ₴