Діод ONSEMI FFSP3065B — це напівпровідниковий компонент технології SiC у корпусі TO220-2. У комплекті 3 штуки, призначені для монтажу на плату (THT).
- Технологія SiC (карбід кремнію)
- Максимальна зворотна напруга 650 В
- Максимальний прямий струм 30 А
- Корпус TO220-2 для монтажу на плату (THT)
- У комплекті 3 штуки
Технічні параметри
Максимальна постійна зворотна напруга становить 650 В, що визначає максимальну напругу, яку діод може блокувати у зворотному напрямку. Максимальний прямий струм дорівнює 30 А, а максимальна пряма напруга — 1,7 В. Ці характеристики описують електричні межі роботи діода.
Корпус та монтаж
Компонент виконаний у корпусі TO220-2 з виводами для встановлення на плату (THT). Такий тип монтажу забезпечує механічну фіксацію та контакт із доріжками друкованої плати.
Комплектація
У наборі постачається 3 діоди ONSEMI FFSP3065B. Комплектація: 3 діоди.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна постійна зворотна напруга | 650 В |
| Максимальна пряма напруга | 1.7 В |
| Максимальний прямий струм | 30 А |
| Тип діода | Діод Шотткі |
| Додаткові характеристики | |
| Тип монтажу | Вставний |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 3 шт. |
| Корпус | TO220-2 |
| Технологія | SiC |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 860 ₴

