Транзистор Infineon FF200R12KT4HOSA1, IGBT, 1200 В, 200 А, корпус AG-62MM-1

Транзистор Infineon FF200R12KT4HOSA1 — це IGBT-модуль у топології напівмосту. Модель забезпечує номінальний струм колектора 200 А та імпульсний струм до 400 А при максимальній напрузі 1200 В.

• Максимальна напруга 1200 В
• Номінальний струм колектора 200 А
• Імпульсний струм до 400 А
• Розсіювана потужність 1,1 кВт
• Корпус AG-62MM-1
• Топологія напівмоста IGBT

Висока потужність та струмова навантаженість

Модуль розрахований на розсіювання потужності до 1,1 кВт. Номінальний струм колектора становить 200 А, а піковий імпульсний струм досягає 400 А.

Надійна ізоляція та керування

Максимальна зворотна напруга модуля становить 1200 В. Напруга керування між затвором та емітером обмежена діапазоном ±20 В. Структура «транзистор/транзистор» у топології напівмосту.

Зручний монтаж та корпус

Модуль виконаний у корпусі AG-62MM-1. Механічний та електричний монтаж здійснюється за допомогою прикручування.