Модуль IGBT Infineon FF200R12KE3HOSA1, 200А, 1200В, корпус AG-62MM-1

Модуль IGBT Infineon Technologies FF200R12KE3HOSA1 — це напівпровідниковий компонент у топології напівмістка, призначений для потужних електронних систем. Він поєднує високу струмову навантаженість 200 А та робочу напругу до 1200 В, забезпечуючи ефективне керування енергією в промислових застосуваннях.

• Струм колектора 200 А для потужних навантажень
• Імпульсний струм до 400 А для пускових режимів
• Робоча напруга до 1,2 кВ
• Розсіювана потужність 1,05 кВт
• Корпус AG-62MM-1 для ефективного охолодження
• Топологія напівмістка IGBT

Висока потужність та струм

Модуль розрахований на постійний струм колектора 200 А, що дозволяє використовувати його в потужних інверторах та приводах. Імпульсний струм може досягати 400 А, що важливо для пускових режимів та динамічних навантажень. Максимальна розсіювана потужність становить 1,05 кВт, що гарантує стабільну роботу під високим навантаженням.

Надійна ізоляція та напруга

Максимальна зворотна напруга модуля становить 1,2 кВ, що забезпечує безпечну експлуатацію в мережах із підвищеною напругою. Напруга між затвором та емітером обмежена ±20 В, що відповідає стандартним вимогам до керуючих сигналів IGBT. Це дозволяє інтегрувати модуль у системи з надійним гальванічним розв'язанням.

Конструкція та монтаж

Компонент виготовлений у корпусі AG-62MM-1, який забезпечує ефективний відвід тепла та механічну стійкість. Механічний та електричний монтаж виконується за допомогою прикручування, що гарантує надійний контакт та простоту обслуговування. Структура напівпровідника «транзистор/транзистор» у топології напівмістка оптимізована для ефективної комутації.

Модуль IGBT Infineon FF200R12KE3HOSA1 є оптимальним рішенням для інженерів, які розробляють потужні промислові приводи, інвертори та системи живлення, де критичними є надійність та висока енергоефективність.