Модуль IGBT Infineon FF200R12KE3HOSA1, 1200 В, 400 А
9 320 ₴
- В наявності
- Код: TM018598
Модуль IGBT Infineon FF200R12KE3HOSA1, 1200 В, 400 АВ наявності
9 320 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Модуль IGBT від бренду Infineon Technologies, модель FF200R12KE3HOSA1. Це напівпровідниковий прилад у корпусі AG-62MM-1 з максимальною потужністю розсіювання 1050 Вт та струмом колектора 400 А.
- Максимальна зворотна напруга: 1,2 кВ
- Максимальний струм колектора: 400 А
- Потужність розсіювання: 1050 Вт
- Корпус: AG-62MM-1
- Топологія: напівміст IGBT
Електричні параметри
Модуль має максимальну зворотну напругу 1,2 кВ та допустимий струм колектора 400 А. Максимальна потужність розсіювання становить 1050 Вт. Напруга між затвором та емітером обмежена величиною ±20 В.
Конструкція та монтаж
Прилад має топологію напівмоста IGBT та структуру «транзистор/транзистор». Корпус AG-62MM-1 передбачає механічне та електричне кріплення прикручуванням.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 1050 Вт |
| Максимально допустимий струм колектора | 400 А |
| Користувальницькі характеристики | |
| Корпус | AG-62MM-1 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 9 320 ₴