Транзистор P-MOSFET ONSEMI FDT458P, SOT223, -30В, -3,4А (набір 20 шт.)

Транзистор P-MOSFET ONSEMI FDT458P у корпусі SOT223 призначений для монтажу на поверхню (SMD). Це уніполярний транзистор з каналом збагачення, що працює при напрузі дрена-джерела до -30 В та струмі дрена до -3,4 А.

• Тип транзистора: P-MOSFET, уніполярний
• Корпус: SOT223, монтаж SMD
• Напруга дрена-джерела: -30 В
• Струм дрена: -3,4 А
• Розсіювана потужність: 3 Вт
• Опір у стані провідності: 0,21 Ом
• Кількість у комплекті: 20 шт.

Електричні параметри

Транзистор має максимальну розсіювану потужність 3 Вт та опір у стані провідності 0,21 Ом. Напруга між затвором і витоком становить ±20 В, а заряд затвора — 3,5 нКл. Максимальна напруга дрена-джерела дорівнює -30 В, а максимальний струм дрена — -3,4 А.

Корпус та комплектація

Компонент виготовлений у корпусі SOT223 із типом монтажу SMD. Технологія виготовлення — PowerTrench®. У комплекті постачається 20 штук.