Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDT1600N10ALZ, 100В, 3,5А, SOT223 (20 шт.)

Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDT1600N10ALZ — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення. Компонент розрахований на напругу 100 В та струм 3,5 А. Пакет містить 20 одиниць у корпусі SOT223 для поверхневого монтажу (SMD).

• Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
• Максимальна напруга дрена-джерела: 100 В
• Максимальний струм дрена: 3,5 А
• Розсіювана потужність: 10,42 Вт
• Опір у стані провідності: 0,16 Ом
• Корпус: SOT223, монтаж SMD
• Кількість у комплекті: 20 шт.

Електричні параметри

Транзистор має максимальну напругу дрена-джерела 100 В та максимальний струм дрена 3,5 А. Опір у стані провідності становить 0,16 Ом. Максимальна розсіювана потужність дорівнює 10,42 Вт, а допустима напруга затвор-джерело — ±20 В.

Корпус та монтаж

Компонент виконаний у корпусі SOT223, який є стандартом для поверхневого монтажу (SMD). Компонент виконаний у корпусі SOT223 для поверхневого монтажу (SMD). У комплекті постачається 20 транзисторів.