Транзистор P-MOSFET ONSEMI FDS9431A, 20 шт., корпус SO8

Транзистор P-MOSFET ONSEMI FDS9431A — це уніполярний компонент з каналом збагачення, призначений для монтажу на поверхню (SMD). Комплект складається з 20 штук у корпусі SO8.

• Тип транзистора: P-MOSFET, уніполярний
• Напруга дрена-джерела: -20 В
• Струм дрена: -3,5 А
• Потужність розсіювання: 2,5 Вт
• Корпус: SO8, монтаж SMD
• Кількість у комплекті: 20 шт.

Електричні параметри

Транзистор працює з напругою дрена-джерела -20 В та струмом дрена -3,5 А. Потужність розсіювання становить 2,5 Вт, а опір у стані провідності — 0,22 Ом. Напруга затвор-джерело обмежена ±8 В, що визначає режими керування каналом.

Технологія та монтаж

Компонент виготовлений за технологією PowerTrench®. Корпус SO8 та тип монтажу SMD.

Комплектація

У пакуванні знаходиться 20 транзисторів ONSEMI FDS9431A.