Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDS8949, 40V, 6A, SO8 (набір 20 шт.)
2 500 ₴
- В наявності
- Код: TM073700
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDS8949, 40V, 6A, SO8 (набір 20 шт.)В наявності
2 500 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDS8949 — це подвійний польовий транзистор у корпусі SO8 для монтажу на поверхню плати (SMD). Комплект складається з 20 однакових компонентів.
- Напруга стік-витік: 40 В
- Струм стіка: 6 А
- Потужність розсіювання: 2 Вт
- Опір у відкритому стані: 43 мОм
- Корпус: SO8 (SMD монтаж)
- Кількість у наборі: 20 шт.
Електричні характеристики
Транзистор має максимальну напругу стік-витік 40 В та струм стіка 6 А. Напруга затвор-витік становить ±20 В. Потужність розсіювання становить 2 Вт, а опір у відкритому стані — 43 мОм. Заряд затвора дорівнює 11 нКл.
Корпус та монтаж
Компонент виготовлений за технологією PowerTrench® у корпусі SO8. Монтаж виконується методом SMD (поверхневий монтаж). Полярність транзистора — уніполярна, канал збагачуваний.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 2 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 40 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 6 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 43 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | SO8 |
| Технологія | PowerTrench® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 500 ₴